MTI85W100GC-SMD 力特FET、MOSFET 陣列
力特 MTI85W100GC-SMD FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 17-SMD, Gull Wing |
| Supplier Device Package | ISOPLUS-DIL? |
MTI85W100GC-SMD 力特FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
MTI85W100GC-SMD 是由 力特 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V。
MTI85W100GC-SMD 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 150μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（88nC @ 10V）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（17-SMD, Gull Wing） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 力特：力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件，從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，同時在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴(kuò)展。作為其加速有機(jī)增長和戰(zhàn)略收購的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分，他們正在擴(kuò)展到相鄰市場。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。
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