TT8J11TCR 羅姆半導體FET、MOSFET 陣列
羅姆半導體 TT8J11TCR FET、MOSFET 陣列
TT8J11TCR是羅姆半導體旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供TT8J11TCR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供TT8J11TCR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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規格參數
| Product Status | Not For New Designs |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| Power - Max | 650mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | 8-TSST |
TT8J11TCR 羅姆半導體FET、MOSFET 陣列 - 規格參數與選型指南
TT8J11TCR 是由 羅姆半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A。
TT8J11TCR 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（43mOhm @ 3.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（22nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2600pF @ 6V）、Power - Max（650mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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