| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 409 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
關(guān)于 IXTD3N50P-2J
IXTD3N50P-2J 是由 力特 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 500V 3A DIE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IXTD3N50P-2J 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2Ohm @ 1.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5.5V @ 50μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（9.3 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（409 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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IXTD3N50P-2J 是由 力特 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，提供該產(chǎn)品的原裝正品現(xiàn)貨，確保品質(zhì)可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
力特 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 IXTD3N50P-2J
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