R6008FNX 羅姆半導體單 FET、MOSFET
羅姆半導體 R6008FNX 單 FET、MOSFET
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規格參數
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
R6008FNX 羅姆半導體單 FET、MOSFET - 規格參數與選型指南
R6008FNX 是由 羅姆半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
R6008FNX 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（950mOhm @ 4A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（580 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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深圳凌創輝電子有限公司是羅姆半導體代理商，專業供應R6008FNX等單 FET、MOSFET 產品。如您需要R6008FNX的datasheet數據手冊、規格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
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