| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 63 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
關(guān)于 GPI65008DF56
GPI65008DF56 是由 鎵能 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
GPI65008DF56 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.4V @ 3.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.1 nC @ 6 V）、Vgs (Max)（+7.5V, -12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（63 pF @ 400 V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 鎵能：**GaNPower（鎵能）：引領(lǐng)新一代功率電子器件的創(chuàng)新力量**
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新聞資訊
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