SCTWA90N65G2V-4是意法半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SCTWA90N65G2V-4現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SCTWA90N65G2V-4 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 119A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 565W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | HiP247? Long Leads |
| Package / Case | TO-247-3 |
SCTWA90N65G2V-4 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V。
SCTWA90N65G2V-4 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（157 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3380 pF @ 400 V）、Power Dissipation (Max)（565W (Tc)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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