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SCTWA35N65G2V是意法半導(dǎo)體旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SCTWA35N65G2V現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SCTWA35N65G2V datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 73000 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Package / Case | TO-247-3 |
SCTWA35N65G2V 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V。
SCTWA35N65G2V 共有 16 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(72mOhm @ 20A, 20V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3.2V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(73 nC @ 20 V)、Vgs (Max)(+20V, -5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(73000 pF @ 400 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司,是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,使其在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位,其產(chǎn)品在推動當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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