AONR21307 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 FET、MOSFET

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 AONR21307產(chǎn)品描述

AONR21307 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

AONR21307 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（11mOhm @ 17A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（50 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1995 pF @ 15 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。

關(guān)于 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體：**萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**

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