首頁 > 單 FET、MOSFET > 力特 > IXTA180N10T
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6900 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 480W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263AA |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IXTA180N10T 是由 力特 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 100V 180A TO263。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IXTA180N10T 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(6.4mOhm @ 25A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4.5V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(151 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(6900 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 力特:力特產品在利用電能的應用中是至關重要的組件,從消費電子產品到車輛和工業設施。他們提供業界最廣泛和最深入的電路保護產品組合,同時在電源控制和傳感領域不斷擴展。作為其加速有機增長和戰略收購的企業戰略的一部分,他們正在擴展到相鄰市場。這些市場包括功率半導體、重型開關、磁性、光學、機電和溫度傳感器;以及提供安全控制和分配電能的產品。
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