STGWA30H65DFB2是意法半導體旗下的單 IGBT 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供STGWA30H65DFB2現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供STGWA30H65DFB2 datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 167 W |
| Switching Energy | 270μJ (on), 310μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 90 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18.4ns/71ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 115 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
STGWA30H65DFB2 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。DISCRETE。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A。
STGWA30H65DFB2 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（167 W）、Switching Energy（270μJ (on), 310μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（90 nC）、Td (on/off) @ 25°C（18.4ns/71ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統方面的專業知識、制造實力、知識產權（IP）組合以及戰略合作伙伴關系，使其在系統級芯片（SoC）技術的前沿占據領先地位，其產品在推動當今的融合趨勢中發揮著關鍵作用。
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