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| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 179 W |
| Switching Energy | 440μJ (on), 330μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 100 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/225ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 16Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-21 |
SGW20N60 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A。
SGW20N60 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max(179 W)、Switching Energy(440μJ (on), 330μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(100 nC)、Td (on/off) @ 25°C(36ns/225ns) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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