| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 500 W |
| Switching Energy | 2.09mJ (on), 1.03mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 102 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/182ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 327 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
關(guān)于 AOK50B65M2
AOK50B65M2 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 50A TO247。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A、Power - Max: 500 W。
AOK50B65M2 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（2.09mJ (on), 1.03mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（102 nC）、Td (on/off) @ 25°C（46ns/182ns）、Test Condition（400V, 50A, 6Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 萬國半導(dǎo)體：**萬國半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**
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新聞資訊
萬國半導(dǎo)體 單 IGBT 產(chǎn)品 AOK50B65M2
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