| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 220 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 230 W |
| Switching Energy | 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 43 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/238ns |
| Test Condition | 1500V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.7 μs |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | i4-Pac?-5 (3 Leads) |
| Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC? |
關(guān)于 IXBF20N360
IXBF20N360 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 45 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A、Power - Max: 230 W。
IXBF20N360 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（15.5mJ (on), 4.3mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（43 nC）、Td (on/off) @ 25°C（18ns/238ns）、Test Condition（1500V, 20A, 10Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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新聞資訊
力特 單 IGBT 產(chǎn)品 IXBF20N360
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