| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 210 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 625 W |
| Switching Energy | 3mJ (on), 1mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 142 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/133ns |
| Test Condition | 600V, 50A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 195 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
關于 IXYH50N120C3D1
IXYH50N120C3D1 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 90A 625W TO247。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 90 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 50A、Power - Max: 625 W。
IXYH50N120C3D1 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（3mJ (on), 1mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（142 nC）、Td (on/off) @ 25°C（28ns/133ns）、Test Condition（600V, 50A, 5Ohm, 15V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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IXYH50N120C3D1 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，提供該產(chǎn)品的原裝正品現(xiàn)貨，確保品質可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
力特 單 IGBT 產(chǎn)品 IXYH50N120C3D1
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