| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Power - Max | 130 W |
| Switching Energy | 85μJ (on), 189μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 53 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/97ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
關(guān)于 STGP19NC60HD
STGP19NC60HD 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 40A 130W TO220。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A、Power - Max: 130 W。
STGP19NC60HD 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（85μJ (on), 189μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（53 nC）、Td (on/off) @ 25°C（25ns/97ns）、Test Condition（390V, 12A, 10Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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新聞資訊
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