UNR9210G0L 松下單個預偏置雙極晶體管
松下 UNR9210G0L 單個預偏置雙極晶體管
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規格參數
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Power - Max | 125 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Supplier Device Package | SSMini3-F3 |
UNR9210G0L 松下單個預偏置雙極晶體管 - 規格參數與選型指南
UNR9210G0L 是由 松下 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 47 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V。
UNR9210G0L 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（150 MHz）、Power - Max（125 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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