| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 2.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Power - Max | 1.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
關(guān)于 STC6NF30V
STC6NF30V 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A。
STC6NF30V 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(25mOhm @ 3A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(600mV @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9nC @ 2.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(800pF @ 25V)、Power - Max(1.5W) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司,是開(kāi)發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,使其在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位,其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢(shì)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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新聞資訊
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