| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±22V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerFlat? (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
關(guān)于 STL60N3LLH5
STL60N3LLH5 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
STL60N3LLH5 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（7.1mOhm @ 8.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±22V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1290 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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新聞資訊
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