規格參數
| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 0V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (8x8) |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
GPI6TIC15DFV 鎵能單 FET、MOSFET - 規格參數與選型指南
GPI6TIC15DFV 是由 鎵能 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。Power IC based on Power GaN HEMT。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 0V、Mounting Type: Surface Mount、Supplier Device Package: 8-DFN (8x8)。
GPI6TIC15DFV 共有 7 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Package / Case（8-WDFN Exposed Pad） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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