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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
S2M0040120D 是由 桑德斯微電子(南京)有限公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Mounting Type: Through Hole、Supplier Device Package: TO-247-3。
S2M0040120D 共有 7 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Package / Case(TO-247-3) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 桑德斯微電子(南京)有限公司:桑德斯微電子(南京)有限公司(SMC Diode Solutions)成立于1997年,是一家擁有深厚行業根基的電子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美國高可靠性(HI-REL)半導體公司的商業晶圓廠,這段經歷賦予了SMC卓越的制造工藝和對產品質量的極致追求。作為一家專業的電子元件供應商,SMC專注于二極管及相關半導體元器件的設計、制造和銷售,其產品憑借出色的性能和嚴格的質量控制,在全球市場贏得了廣泛認可。
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