RQ6P015SPTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
| 參數(shù)名稱(chēng) | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 322 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
關(guān)于 RQ6P015SPTR
RQ6P015SPTR 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
RQ6P015SPTR 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（470mOhm @ 1.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（322 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（950 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
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RQ6P015SPTR 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司作為專(zhuān)業(yè)的電子元器件分銷(xiāo)商，提供該產(chǎn)品的原裝正品現(xiàn)貨，確保品質(zhì)可靠、來(lái)源可追溯。
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新聞資訊
羅姆半導(dǎo)體 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RQ6P015SPTR
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