| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Power - Max | 115 W |
| Switching Energy | 136μJ (on), 207μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 81 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 24.5ns/118ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P |
關于 STGWT15H60F
STGWT15H60F 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 30 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A。
STGWT15H60F 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（115 W）、Switching Energy（136μJ (on), 207μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（81 nC）、Td (on/off) @ 25°C（24.5ns/118ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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STGWT15H60F 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。深圳凌創輝電子有限公司作為專業的電子元器件分銷商，提供該產品的原裝正品現貨，確保品質可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
意法半導體 單 IGBT 產品 STGWT15H60F
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