| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 312 W |
| Switching Energy | 1.19mJ (on), 380μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 61 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 31ns/110ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 7.5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 106 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
關(guān)于 AOK40B65HQ3
AOK40B65HQ3 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 40A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A、Power - Max: 312 W。
AOK40B65HQ3 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（1.19mJ (on), 380μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（61 nC）、Td (on/off) @ 25°C（31ns/110ns）、Test Condition（400V, 40A, 7.5Ohm, 15V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 萬國半導(dǎo)體：**萬國半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**
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新聞資訊
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