| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 370 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 1000 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 160A |
| Power - Max | 1150 W |
| Switching Energy | 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 553 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 62ns/245ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | PLUS247?-3 |
關(guān)于 IXXX200N65B4
IXXX200N65B4 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 370A 1150W PLUS247。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 370 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A。
IXXX200N65B4 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（1150 W）、Switching Energy（4.4mJ (on), 2.2mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（553 nC）、Td (on/off) @ 25°C（62ns/245ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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新聞資訊
力特 單 IGBT 產(chǎn)品 IXXX200N65B4
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