| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 380 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 82A |
| Power - Max | 1250 W |
| Switching Energy | 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 215 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/192ns |
| Test Condition | 600V, 80A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXYH) |
關于 IXYH82N120C3
IXYH82N120C3 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 200 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 380 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A、Power - Max: 1250 W。
IXYH82N120C3 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Switching Energy（4.95mJ (on), 2.78mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（215 nC）、Td (on/off) @ 25°C（29ns/192ns）、Test Condition（600V, 80A, 2Ohm, 15V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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IXYH82N120C3 是由 力特 制造的 單 IGBT 類電子元器件。深圳凌創輝電子有限公司作為專業的電子元器件分銷商，提供該產品的原裝正品現貨，確保品質可靠、來源可追溯。
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新聞資訊
力特 單 IGBT 產品 IXYH82N120C3
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